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Product Parts Table
產品
產品規格型錄
最大X電容
總串聯電阻
擊穿電壓
IC封裝
安裝類型
產品類別
運作溫度 (最大)
運作溫度 (最小)
Max X Capacitance 100 nF to 6 microF
Total Series Resistance 7.5 MOhm to 142 kOhm
Breakdown Voltage 1000 V
IC Package SO-8
Mounting Type Surface Mount
Product Type IC
Temperature - Operating (Max) 110 °C
Temperature - Operating (Min) -10 °C

產品詳情

施加 AC 電壓時,CAP200DG 會阻止 X 電容安全放電電阻內的電流流動,藉此將功率損失降至 5 mW 以下,甚至在 230 VAC 條件下損失為零。中斷 AC 電壓時,CAP200DG 會透過連接串聯放電電阻,自動使 X 電容放電。此操作可以讓 X 電容的選擇具有很大彈性,從而最佳化差模 EMI 濾波並降低電感成本,同時不影響功耗。

採用 CAP200DG 設計時,只要針對將使用的 X 電容值選取適當的外部電阻值,即可獲得所需的時間常數。二端 CAP200DG IC 的簡單和耐用特性,無疑是符合 EuP Lot 6 要求之系統的最佳選擇。

Key Features

  • 涵蓋的 X 電容值為 100 nF 至 6 mF
  • 接通 AC 電壓時,能阻斷電流經過 X 電容放電電阻
  • 中斷 AC 電壓時,能自動使 X 電容經由放電電阻進行放電
  • 可簡化 EMI 濾波器設計 – 大型 X 電容器允許使用較小的電感元件,而不影響功率耗損
  • 只使用二端 – 用於系統輸入保險絲之前或之後,均符合安全標準
  • 封裝和 PCB 上的沿面距離大於 4 mm
  • 自行供電 – 不需要額外的偏壓
  • 高度共模突波耐受性 – 不用外部接地
  • 高度差模突波耐受性 – 採用 1000 V 內部 MOSFET
  • NEMKO 和 CB 認證